IPP100N06S3L-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPP100N06S3L-04Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
100A (Tc)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
5V, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO220-3-1
Vgs (Max)：
±16V
Dissipation de puissance (maximum)：
214W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.2V @ 150µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3.8mOhm @ 80A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
362 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
17270 pF @ 25 V
