SPP80N06S2L-11
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
SPP80N06S2L-11Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Colis/Caisse：
TO-220-3
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
80A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO220-3-1
Dissipation de puissance (maximum)：
158W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 93µA
