SPW20N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
SPW20N60CFDFKSA1Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
650 V
Colis/Caisse：
TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2400 pF @ 25 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
124 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO247-3-1
Dissipation de puissance (maximum)：
208W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
20.7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
220mOhm @ 13.1A, 10V
