NTD60N02RG
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
NTD60N02RGSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur：
DPAK
Vgs(e) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
25 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 4.5 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
10.5mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1330 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.25W (Ta), 58W (Tc)
