NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NTLJS3113PT1GSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
6-WDFN Exposed Pad
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.5V, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
700mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
3.5A (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
6-WDFN (2x2)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 3A, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
15.7 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1329 pF @ 16 V
