NTMFS4119NT1G
MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
NTMFS4119NT1GSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Package d'appareil du fournisseur：
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN, 5 Leads
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
11A (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (maximum)：
900mW (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3.5mOhm @ 29A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
4800 pF @ 24 V
