APT34M120J
MOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
APT34M120JSpécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Colis/Caisse：
SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-227
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
560 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
35A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
960W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
300mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
18200 pF @ 25 V
