APT41M80B2

MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

APT41M80B2
Numéro de pièce :
APT41M80B2
Catégorie de produits :
Roving Networks (Microchip Technology)
Description :
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Statut ROHS :
Oui

APT41M80B2Spécifications

Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max):
±30V
Vgs(e) (Max) @ Id:
5V @ 2.5mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
43A (Tc)
Tension drain-source (Vdss):
800 V
Colis/Caisse:
TO-247-3 Variant
Package d'appareil du fournisseur:
T-MAX™ [B2]
Dissipation de puissance (maximum):
1040W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
260 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
210mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
8070 pF @ 25 V

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