APT4M120K
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
APT4M120KSpécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
5A (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220 [K]
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1385 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximum)：
225W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4Ohm @ 2A, 10V
