APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
APT66M60B2Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 2.5mA
Colis/Caisse：
TO-247-3 Variant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
70A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
T-MAX™ [B2]
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
330 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1135W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
13190 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 33A, 10V
