FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
FDB8832Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263 (D2PAK)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
300W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
11400 pF @ 15 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
1.9mOhm @ 80A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
265 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
34A (Ta), 80A (Tc)
