FDD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
FDD3N40TFSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(e) (Max) @ Id：
5V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss)：
400 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
30W (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3.4Ohm @ 1A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
225 pF @ 25 V
