FDMC8554
MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
FDMC8554Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerWDFN
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
62 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5mOhm @ 16.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
3380 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
2W (Ta), 41W (Tc)
