FDZ493P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDZ493PSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
1.7W (Ta)
Colis/Caisse：
9-WFBGA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
754 pF @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
9-BGA (1.55x1.55)
