FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQB9N50CFTMSpécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-263 (D2PAK)
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
9A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
500 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
35 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1030 pF @ 25 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
850mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)：
173W (Tc)
