IXFN200N10P

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IXFN200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Numéro de pièce：

IXFN200N10P

Modèle alternatif：

IXTN200N10T , HSA505R1J , VS-FC420SA10 , IXFN230N20T , IXTN660N04T4 , IXFN360N10T , VS-FC270SA20 , IXFN400N15X3 , VS-FC420SA15 , IXTN210P10T , IXFN210N20P , IXFN170N25X3 , IXFN300N10P , IXTN200N10L2 , 87606-309LF

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

RoHS：

YES

：

IXFN200N10P

IXFN200N10P Spécifications

Type de montage：

Chassis Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

SOT-227-4, miniBLOC

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-227B

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

7600 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

235 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

200A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 8mA

Dissipation de puissance (maximum)：

680W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7.5mOhm @ 500mA, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1604

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

30.93

27.49

274.9

100

24.05

2405

500

20.52

10260

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