IXFP7N80P

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IXFP7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

Numéro de pièce：

IXFP7N80P

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXFP7N80P

IXFP7N80P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Vgs (Max)：

±30V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Tension drain-source (Vdss)：

800 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

32 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 1mA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

7A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

200W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1890 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1899

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.61

5.61

50

4.44

222

100

3.81

381

500

3.39

1695

1000

2.9

2900

2000

2.73

5460

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