STD2HNK60Z

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STD2HNK60Z

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Numéro de pièce：

STD2HNK60Z

Modèle alternatif：

STD2HNK60Z-1 , TC4S584F , LF , IRFRC20TRPBF , 1787551 , LM258DR2G , SMBJ160CA , IRS2304SPBF , D6015LTP , ABS25-32.768KHZ-6-T

Fabricant：

STMicroelectronics

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

RoHS：

YES

：

STD2HNK60Z STD2HNK60Z

STD2HNK60Z Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK

Tension drain-source (Vdss)：

600 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

15 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

45W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

280 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.8Ohm @ 1A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15480

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.57

1425

5000

0.55

2750

12500

0.52

6500

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