SI7913DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
Numéro de pièce：
SI7913DN-T1-GE3
Modèle alternatif：
ILHB0805ER251V
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
RoHS：
YES
SI7913DN-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
20V
Configuration：
2 P-Channel (Dual)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
5A
Puissance - Max：
1.3W
Colis/Caisse：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
24nC @ 4.5V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
37mOhm @ 7.4A, 4.5V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
0.78
2340
6000
0.76
4560
9000
0.73
6570
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