SIA813DJ-T1-GE3

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SIA813DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Numéro de pièce：

SIA813DJ-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

RoHS：

YES

SIA813DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Fonctionnalité FET：

Schottky Diode (Isolated)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4.5A (Tc)

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 8 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

355 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

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