STB30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Numéro de pièce：
STB30NM60N
Fabricant：
STMicroelectronics
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
RoHS：
YES
STB30NM60N Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur：
D2PAK
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
25A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
91 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
190W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 12.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2700 pF @ 50 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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