CSD16403Q5A

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CSD16403Q5A

MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON

Numéro de pièce：

CSD16403Q5A

Modèle alternatif：

TPS24701DGKR , ISO1540DR , SI4166DY-T1-GE3 , DM3312X101R-10 , PESD3V3NW-SFYL , MFU0603FF01000P100 , RNE1C471MDN1 , SI32185-A-FMR , 1759503-1 , TPS54531DDAR , B61089BDR , CP2102N-A02-GQFN24 , SI3018-F-GSR , LM75AIM/NOPB , SSM3K361R , LF

Fabricant：

Texas Instruments

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON

RoHS：

YES

CSD16403Q5A Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

8-PowerTDFN

Tension drain-source (Vdss)：

25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.1W (Ta)

Vgs (Max)：

+16V, -12V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2660 pF @ 12.5 V

Package d'appareil du fournisseur：

8-VSONP (5x6)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.8mOhm @ 20A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

28A (Ta), 100A (Tc)

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：16308

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