2SK3128(Q)
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
Numéro de pièce：
2SK3128(Q)
Fabricant：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 60A TO3P
RoHS：
NO
2SK3128(Q) Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Dissipation de puissance (maximum)：
150W (Tc)
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
60A (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3P(N)
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 30A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2300 pF @ 10 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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