FDFMA2P853T

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FDFMA2P853T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

Numéro de pièce：

FDFMA2P853T

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

RoHS：

：

FDFMA2P853T FDFMA2P853T FDFMA2P853T FDFMA2P853T FDFMA2P853T FDFMA2P853T

FDFMA2P853T Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.4W (Ta)

Vgs (Max)：

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.3V @ 250µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

120mOhm @ 3A, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

6 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

435 pF @ 10 V

Fonctionnalité FET：

Schottky Diode (Isolated)

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads

Package d'appareil du fournisseur：

7-SOIC

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