IRF634B-FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
Numéro de pièce：
IRF634B-FP001
Fabricant：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
RoHS：
YES
IRF634B-FP001 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Vgs (Max)：
±30V
Tension drain-source (Vdss)：
250 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Dissipation de puissance (maximum)：
74W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1000 pF @ 25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
8.1A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 4.05A, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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