GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Numéro de pièce：
GT10J312(Q)
Fabricant：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
RoHS：
NO
GT10J312(Q) Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Puissance - Max：
60 W
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
600 V
Type d'entrée：
Standard
Temps de récupération inversée (trr)：
200 ns
Colis/Caisse：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
10 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
20 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.7V @ 15V, 10A
Td (marche/arrêt) à 25°C：
400ns/400ns
Condition de test：
300V, 10A, 100Ohm, 15V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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