IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Numéro de pièce：
IPB039N10N3GATMA1
Modèle alternatif：
IPB180N06S4H1ATMA2 , ZXTN19100CFFTA , SUM70030E-GE3 , INA193AIDBVR , SZMMSZ4680T1G , IPB044N15N5ATMA1 , IPB025N10N3GATMA1 , PGB1010603NR , IPF050N10NF2SATMA1 , SUM70042E-GE3 , SPP80P06PHXKSA1 , IPT015N10N5ATMA1 , CSD19536KTT , IAUT150N10S5N035ATMA1 , BSC040N10NS5ATMA1 , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
Fabricant：
IR (Infineon Technologies)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
RoHS：
YES
IPB039N10N3GATMA1 Spécifications
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：18328
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1000
1.66
1660
2000
1.56
3120
5000
1.51
7550
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