IPB80N06S2L-H5

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IPB80N06S2L-H5

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Numéro de pièce：

IPB80N06S2L-H5

Modèle alternatif：

IPB80N06S2LH5ATMA4

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

RoHS：

NO

：

IPB80N06S2L-H5 IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO263-3-2

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5000 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

190 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.7mOhm @ 80A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1000

1.09

1090

2000

1.03

2060

5000

0.99

4950

10000

0.96

9600

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