IPB80N08S2L07ATMA1

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IPB80N08S2L07ATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Numéro de pièce：

IPB80N08S2L07ATMA1

Modèle alternatif：

IRL2910STRLPBF , IRFS3607TRLPBF , STB75NF75T4 , IAUC64N08S5L075ATMA1 , TLE7181EMXUMA1 , IPB80N08S207ATMA1 , 824551511 , STPS2170AF , IPB019N06L3GATMA1 , LC03-3.3BTG , SMDJ6.0CA , SEP0080Q38CB , SMP1302-079LF , LTC2630AISC6-HZ12#TRMPBF , SDMG0340LC-7-F , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

RoHS：

YES

：

IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tension drain-source (Vdss)：

75 V

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO263-3-2

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5400 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

233 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6.8mOhm @ 80A, 10V

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