IPD30N03S2L20ATMA1

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IPD30N03S2L20ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

Numéro de pièce：

IPD30N03S2L20ATMA1

Modèle alternatif：

IPD135N03LGATMA1 , IPD30N03S4L14ATMA1 , IRLR8259TRPBF , ZXMN3A04KTC , IPD70N03S4L04ATMA1 , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

RoHS：

YES

：

IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Dissipation de puissance (maximum)：

60W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

19 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO252-3-11

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

530 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 23µA

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6635

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.45

1125

5000

0.43

2150

12500

0.41

5125

25000

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10250

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