IPD30N08S222ATMA1

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IPD30N08S222ATMA1

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Numéro de pièce：

IPD30N08S222ATMA1

Modèle alternatif：

AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

RoHS：

YES

：

IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Tension drain-source (Vdss)：

75 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

57 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1400 pF @ 25 V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO252-3-11

Dissipation de puissance (maximum)：

136W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 80µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

21.5mOhm @ 50A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3595

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.79

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0.76

3800

12500

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9250

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