IPI045N10N3GXKSA1

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IPI045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Numéro de pièce：

IPI045N10N3GXKSA1

Modèle alternatif：

FDI045N10A-F102 , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

RoHS：

YES

：

IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

100A (Tc)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO262-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

117 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

214W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 150µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

8410 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2059

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

4.14

3.28

164

100

2.81

281

500

2.5

1250

1000

2.13

2130

2000

2.01

4020

5000

1.94

9700

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