IPI139N08N3GHKSA1

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IPI139N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

Numéro de pièce：

IPI139N08N3GHKSA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

RoHS：

：

IPI139N08N3GHKSA1 IPI139N08N3GHKSA1

IPI139N08N3GHKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Dissipation de puissance (maximum)：

79W (Tc)

Colis/Caisse：

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tension drain-source (Vdss)：

80 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

45A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO262-3

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 33µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1730 pF @ 40 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

13.9mOhm @ 45A, 10V

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