IPP057N08N3GXKSA1

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IPP057N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Numéro de pièce：

IPP057N08N3GXKSA1

Modèle alternatif：

IPP052NE7N3GXKSA1 , IPP072N10N3GXKSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

RoHS：

YES

：

IPP057N08N3GXKSA1 IPP057N08N3GXKSA1

IPP057N08N3GXKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Dissipation de puissance (maximum)：

150W (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

80 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO220-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

69 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.5V @ 90µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4750 pF @ 40 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2330

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2.95

2.37

118.5

100

1.95

195

500

1.65

825

1000

1.4

1400

2000

1.33

2660

5000

1.28

6400

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