IPP50R250CPHKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Numéro de pièce：
IPP50R250CPHKSA1
Fabricant：
IR (Infineon Technologies)
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
RoHS：
NO
IPP50R250CPHKSA1 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur：
PG-TO220-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
13A (Tc)
Tension drain-source (Vdss)：
500 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
36 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
114W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
3.5V @ 520µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1420 pF @ 100 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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