IPP80N03S4L03AKSA1

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IPP80N03S4L03AKSA1

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

Numéro de pièce：

IPP80N03S4L03AKSA1

Modèle alternatif：

AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

RoHS：

YES

：

IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1

IPP80N03S4L03AKSA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO220-3-1

Vgs (Max)：

±16V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.2V @ 90µA

Dissipation de puissance (maximum)：

136W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

140 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.7mOhm @ 80A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

9750 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

3.22

3.22

50

2.6

130

100

2.13

213

500

1.8

900

1000

1.53

1530

2000

1.45

2900

5000

1.4

7000

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