SPU03N60C3BKMA1

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SPU03N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

Numéro de pièce：

SPU03N60C3BKMA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

RoHS：

YES

：

SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1

SPU03N60C3BKMA1 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

650 V

Colis/Caisse：

TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

17 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

38W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

400 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

1.4Ohm @ 2A, 10V

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO251-3-21

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.2A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3.9V @ 135µA

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