IXFH12N100F

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IXFH12N100F

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

Numéro de pièce：

IXFH12N100F

Modèle alternatif：

STW11NK90Z , IXFH12N100P , IXFH12N100Q , IXFH12N100

Fabricant：

Wickmann / Littelfuse

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

RoHS：

YES

IXFH12N100F Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Tc)

Colis/Caisse：

TO-247-3

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

5.5V @ 4mA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247AD (IXFH)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

77 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2700 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

1.05Ohm @ 6A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

12.72

12.72

30

10.29

308.7

120

9.68

1161.6

510

8.78

4477.8

1020

8.05

8211

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