STD12NM50ND

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STD12NM50ND

MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

Numéro de pièce：

STD12NM50ND

Modèle alternatif：

RS3-483.3S/H2 , IPD50R380CEAUMA1 , PTB48560AAH , ISL94212INZ-T , 5922323313NF , PYB20-Q48-S24 , LFXP2-30E-5FN484I , IRFP4368PBF , LFXP2-8E-5FTN256I , MIC4451YM , REC7.5-4812SRW/H3/A/M , LM6172IMX/NOPB , LTC3200ES6-5#TRPBF , MC74VHC1G125DFT1G , PDS1-S15-S15-M

Fabricant：

STMicroelectronics

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

RoHS：

YES

：

STD12NM50ND

STD12NM50ND Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur：

DPAK

Vgs (Max)：

±25V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

30 nC @ 10 V

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Dissipation de puissance (maximum)：

100W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

850 pF @ 50 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

380mOhm @ 5.5A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

1.82

4550

5000

1.74

8700

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