IXTP3N100D2

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IXTP3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Numéro de pièce：

IXTP3N100D2

Modèle alternatif：

PT12-21C/TR8 , IXTP08N100D2 , SM6T6V8CA , ESE-24MV1T , IXTP6N50D2 , IXTP6N100D2 , IXTP1R6N100D2 , IXTP3N50D2

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP3N100D2

IXTP3N100D2 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-220-3

Tension drain-source (Vdss)：

1000 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)：

125W (Tc)

Fonctionnalité FET：

Depletion Mode

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1020 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

5.5Ohm @ 1.5A, 0V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

37.5 nC @ 5 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

4.95

4.95

50

3.92

196

100

3.36

336

500

2.98

1490

1000

2.55

2550

2000

2.41

4820

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