SI2302ADS-T1

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SI2302ADS-T1

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Numéro de pièce：

SI2302ADS-T1

Modèle alternatif：

SI2302ADS-T1-E3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-E3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

RoHS：

YES

：

SI2302ADS-T1 SI2302ADS-T1 SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.1A (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)：

700mW (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

10 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

300 pF @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

60mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.2V @ 50µA

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Quantité d'emballage standard：1600

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Prix internationaux

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1170

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30000

0.33

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