SI1422DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Numéro de pièce：
SI1422DH-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
RoHS：
YES
SI1422DH-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareil du fournisseur：
SC-70-6
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 8 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
725 pF @ 6 V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
26mOhm @ 5.1A, 4.5V
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