BUK6507-55C,127
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Numéro de pièce：
BUK6507-55C,127
Fabricant：
NXP Semiconductors
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
RoHS：
NO
BUK6507-55C,127 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
100A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220AB
Colis/Caisse：
TO-220-3
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
55 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
Vgs (Max)：
±16V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
82 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
7mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5160 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximum)：
158W (Tc)
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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