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Détails du produit
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Numéro de pièce:
SI1900DL-T1-E3
Modèle alternatif:
FDG6303N , SIA906EDJ-T1-GE3 , FDG8850NZ , MCP619T-I/ST , BSS84LT1G , SI2303CDS-T1-E3 , DMN3190LDW-7 , MCP2021AT-330E/MD
Fabricant:
Vishay / Siliconix
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products
>
Transistors
>
FETs, MOSFETs
>
FET, MOSFET Arrays
>
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
RoHS:
YES
:
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3
SI1900DL-T1-E3 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Colis/Caisse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareil du fournisseur:
SC-70-6
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET:
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):
30V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Configuration:
2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max:
270mW
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
1.4nC @ 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
590mA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
480mOhm @ 590mA, 10V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:30330
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
0.21
630
6000
0.2
1200
9000
0.19
1710
30000
0.19
5700
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