SI3407DV-T1-GE3

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SI3407DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3407DV-T1-GE3

Modèle alternatif：

FDC604P , SSM3J338R , LF , DMN1019USN-7 , PMN30XPAX , SI3421DV-T1-GE3 , TPSMC30CA , 24881 , PTVS3V3S1UR , 115 , SI3493BDV-T1-E3 , 5988130107F , NTHS4101PT1G , SI3429EDV-T1-GE3 , MICROSMD050F-2 , SI3493DDV-T1-GE3 , PMN30XPX

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

63 nC @ 10 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 4.5V

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±12V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.5V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

24mOhm @ 7.5A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1670 pF @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

4.2W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：13215

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.18

540

6000

0.18

1080

9000

0.15

1350

30000

0.15

4500

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