SI4230DY-T1-GE3

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SI4230DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Numéro de pièce：

SI4230DY-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

RoHS：

YES

：

SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Configuration：

2 N-Channel (Dual)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8A

Puissance - Max：

3.2W

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

25nC @ 10V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

20.5mOhm @ 8A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

950pF @ 15V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.34

850

5000

0.32

1600

12500

0.3

3750

25000

0.3

7500

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