SI4330DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Numéro de pièce：
SI4330DY-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
RoHS：
YES
SI4330DY-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Fonctionnalité FET：
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)：
30V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.6A
Puissance - Max：
1.1W
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
20nC @ 4.5V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
16.5mOhm @ 8.7A, 10V
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