MG1275S-BA1MM
IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
Numéro de pièce：
MG1275S-BA1MM
Fabricant：
Wickmann / Littelfuse
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
Description：
IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
RoHS：
YES
MG1275S-BA1MM Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Saisir：
Standard
Thermistance CTN：
No
Configuration：
Half Bridge
Courant - Coupure du collecteur (Max)：
500 µA
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
105 A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce：
5.52 nF @ 25 V
Colis/Caisse：
S-3 Module
Package d'appareil du fournisseur：
S3
Puissance - Max：
630 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
1.8V @ 15V, 75A (Typ)
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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