SQJ951EP-T1

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SQJ951EP-T1_GE3

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

Numéro de pièce：

SQJ951EP-T1_GE3

Modèle alternatif：

SQJ951EP-T1_BE3 , ESP32-WROOM-32E-H4 , AP62200WU-7 , LMZM33602RLRR , BSS123-7-F , PJ-067B , ACS711KEXLT-31AB-T , LMP8645HVMK/NOPB , EXB-V4V472JV , FSUSB42MUX , LT3080EMS8E#PBF , TPS542A50RJMR , SI7938DP-T1-GE3 , MCP6001UT-I/OT , ADUM260N0BRIZ-RL

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

RoHS：

YES

：

SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Grade：

Automotive

Puissance - Max：

56W

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Qualification：

AEC-Q101

Configuration：

2 P-Channel (Dual)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

30A

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8 Dual

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8 Dual

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

50nC @ 10V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

17mOhm @ 7.5A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1680pF @ 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6982

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Prix internationaux

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