BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
BSC119N03S G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
11 nC @ 5 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 20µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TDSON-8-1
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1370 pF @ 15 V
消費電力(最大)：
2.8W (Ta), 43W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
11.9mOhm @ 30A, 10V
